安森美半导体为手机等小形状系数便携电子产品推出集成充电和电源开关电路NUS3116。这电路整合了主电池开关、墙式充电开关和USB充电开关于一身，优化手持电子产品的充电性能和节省弥足珍贵的电路板占用空间。

　　NUS3116 集成了主电源开关 −12 伏 (V)、−6.2 安培 (A) 的 μCool™ 单 P 沟道 MOSFET，处理主电池开关功能；它还集成了两个内部低饱和 PNP 晶体管，处理双沟道充电功能。其中，主开关MOSFET的最大漏-源极导通阻抗 (RDS(ON)) 为 40 m，尽量降低便携电子产品电池工作期间的功率损耗。而两个低 Vce(sat) 晶体管为高达 2 A 的充电电流提供良好的热性能，且在充电结束时的 Vce 电压降低少于 240 mV。

　　NUS3116 采用无铅型 DFN-8 封装，仅占用 9 平方毫米 (mm2) 电路板空间，与使用三颗 TSOP-6 封装需要互连空间的传统解决方案相比，节省了超过 20 mm2 板级空间。这种封装的高度仅为 
0.8 mm，使得该器件适合于极小形状系数的便携电子产品设计。采用 NUS3116 集成器件更可减低电路板布局的复杂性。